| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IPB049NE7N3G |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | Infineon Technologies | 2168 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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IPB049NE7N3G参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 包装数量：1000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：75V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.9 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 91µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4750pF @ 37.5V 功率 - 最大值：150W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeGBC25DCST-S288 电池组KR-SCH(1.6)L2X4 磁性 - 位置，近55100-3H-02-D Card EdgeGCC20DCSN 热缩管HSTT100-C2 二极管，整流器 -32CTQ030-1 接线座 - 接头，1627450000 压接器，施用器，压0622017605 固定式LB1608T1R0M 电路板衬垫，支座HTS4-14-48 |
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